半导体工艺设备
半导体工艺设备
中国电科48所半导体工艺设备事业部专注于微电子与半导体装备的研发和制造，设备涵盖薄膜制备、掺杂、刻蚀、烧结、激光焊接等领域，是四十八所半导体设备研发的核心力量。目前研发设备已广泛应用于电子、船舶、兵器
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GaAs/InP MOCVD
GaAs/InPMOCVD设备，主要是在精确控制的压力与温度环境下，在特定的反应气氛中利用金属有机源与氢化物进行化学反应，在衬底表面进行III-V族化合物半导体的外延生长，实现原..
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离子束刻蚀机（IBE）
利用低能平行Ar⁺离子束对基片进行物理轰击，通过掩膜选择性地溅射去除未被覆盖的材料，实现高分辨率、高陡直度的图形转移。可兼容金属、合金、半导体、绝缘体等多种材料，满足器..
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卧式LPCVD
应用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备；适用工艺有LPCVD。
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卧式氧化炉
应用于集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等；适用工艺有扩散、氧化、退火、合金。
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立式LPCVD
应用于集成电路制造中的监膜氧化层、多晶硅淀积；适用工艺有TEOS、Poly、SiN。
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水平液相外延炉
应用于HgCdTe材料外延生长。
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